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CMP012N10
N沟道 100V 90A
- 描述
- 012N10采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于脉宽调制（PWM）、负载开关和通用应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP012N10
- 商品编号
- C39840879
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7195克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
012N10采用先进的技术和设计,可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于PWM、负载开关和通用应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-直流-直流转换器-非常适合高频开关和同步整流