温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMP012N10
N沟道 100V 90A
- 描述
- 012N10采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于脉宽调制（PWM）、负载开关和通用应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP012N10
- 商品编号
- C39840879
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7195克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
65R300是一款功率MOSFET，采用了东微半导先进的超级结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计人员带来了低电磁干扰（EMI）优势，同时具备低开关损耗。
商品特性
- 15A、650V，VGS = 10V时，最大RDS（on）= 0.3Ω
- 超级结技术
- 更低的导通电阻与面积乘积（Ron*A）性能，提高导通状态效率
- 更低的品质因数（FOM），实现快速开关效率