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CMH50N30
N沟道 300V 50A
- 描述
- CMH50N30采用先进的平面条形DMOS技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH50N30
- 商品编号
- C39840874
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.901111克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 280W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 620pF |
商品概述
BSS169H6327是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品BSS169H6327为无铅产品。
商品特性
- 100V，VGS = 10V时，RDS(ON) = 2.70Ω（典型值）
- VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 2.95Ω（典型值）
- 高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换