商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.4Ω@10V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 850pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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1+￥4.4745￥4.71
10+￥3.5625￥3.75
50+￥3.287￥3.46￥173
100+￥2.831￥2.98￥149
500+￥2.565￥2.7￥135
1000+￥2.432￥2.56￥128
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