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CME6P03L
P沟道 -30V -5.5A
- 描述
- CME6P03L采用先进的制程技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于大多数同步降压转换器应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CME6P03L
- 商品编号
- C39840869
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1005克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用Cmos先进的平面条形DMOS技术制造。这些器件非常适合低压应用，如汽车、DC/DC转换器，以及便携式和电池供电产品电源管理中的高效开关应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源-不间断电源-功率因数校正