FDR8308P
2个P沟道 耐压:20V 电流:3.2A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDR8308P
- 商品编号
- C3291369
- 商品封装
- TSOP-8-3.30mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- -3.2 A,-20 V。VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 0.050 Ω;VGS = -2.5 V时,RDS(ON) = 0.070 Ω。
- 低栅极电荷(典型值为13 nC)。
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)。
- SuperSOTTM-8封装:小尺寸(比SO-8小40%);薄型(厚度为1 mm);最大功率与SO-8相当。
应用领域
- 便携式电子应用:负载开关和电源管理
- 电池充电电路
- DC/DC转换