FDR844P
1个P沟道 耐压:20V 电流:10A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDR844P
- 商品编号
- C3291368
- 商品封装
- TSOP-8-3.30mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.951nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 451pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- -10 A、-20 V。在 VGS = -4.5 V 时,RDS(ON) = 11 mΩ
- 在 VGS = -2.5 V 时,RDS(ON) = 14 mΩ
- 在 VGS = -1.8 V 时,RDS(ON) = 20 mΩ
- 开关速度快
- 高性能沟槽技术,实现极低的 RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
-电源管理-负载开关-电池保护