NDH832P
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDH832P
- 商品编号
- C3291365
- 商品封装
- TSOP-8-3.30mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@2.7V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低压应用,如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路,在这些应用中需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力。
商品特性
- 在VGS = -2.7V时,RDS(ON) = 0.08Ω
- -4.2A,-20V。在VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 0.06Ω
- 高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 增强型SuperSOTTM-8小外形表面贴装封装,具备高功率和电流处理能力