2SK3054-T1-A
N沟道 MOSFET,电流:0.1A,耐压:50V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK3054-T1-A
- 商品编号
- C3289600
- 商品封装
- SC-70-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@1uA | |
| 输入电容(Ciss) | 8pF@3V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件在双PQFN封装中集成了两个专用N沟道MOSFET。开关节点已内部连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET（Q1）和同步整流MOSFET（Q2）经过精心设计，可实现最佳功率效率。
商品特性
- Q1：N沟道
- VGS = 10 V、ID = 13 A时，最大rDS(on) = 8 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 11 A时，最大rDS(on) = 11 mΩ
- Q2：N沟道
- VGS = 10 V、ID = 23 A时，最大rDS(on) = 2.6 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 21 A时，最大rDS(on) = 3.5 mΩ
- 低电感封装可缩短上升/下降时间，从而降低开关损耗
- MOSFET集成可实现最佳布局，降低电路电感并减少开关节点振铃
- 符合RoHS标准
应用领域
- 计算领域
- 通信领域
- 通用负载点应用
- 笔记本电脑VCORE
- 服务器
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