2SK3054-T1-A

该器件在双PQFN封装中集成了两个专用N沟道MOSFET。开关节点已内部连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET（Q1）和同步整流MOSFET（Q2）经过精心设计，可实现最佳功率效率。

• Q1：N沟道
• VGS = 10 V、ID = 13 A时，最大rDS(on) = 8 mΩ
• VGS = 4.5 V、ID = 11 A时，最大rDS(on) = 11 mΩ
• Q2：N沟道
• VGS = 10 V、ID = 23 A时，最大rDS(on) = 2.6 mΩ
• VGS = 4.5 V、ID = 21 A时，最大rDS(on) = 3.5 mΩ
• 低电感封装可缩短上升/下降时间，从而降低开关损耗
• MOSFET集成可实现最佳布局，降低电路电感并减少开关节点振铃
• 符合RoHS标准

• 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
• 高质量级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。