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FDMS8672AS
N沟道,电流:28A,耐压:30V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS8672AS
- 商品编号
- C3289567
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 66A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.385nF |
商品概述
B10G3741N55D是一款采用安谱隆（Ampleon）先进的GEN10 LDMOS技术的三级全集成非对称Doherty单片微波集成电路（MMIC）解决方案。载波和峰值器件、输入功分器、输出合路器和预匹配电路集成在单个封装中。这款多频段器件非常适合作为3700 MHz至4100 MHz频率范围内小基站和大规模MIMO应用的末级放大器。采用PQFN封装。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 18 A时,最大导通电阻rDS(on) = 5.0 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 15 A时,最大导通电阻rDS(on) = 7.0 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合,实现低导通电阻rDS(on)和高效率
- 同步场效应晶体管(SyncFET)肖特基体二极管
- 符合MSL1标准的稳健封装设计
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器的同步整流器
- 笔记本电脑Vcore/ GPU低端开关
- 网络负载点低端开关
- 电信次级侧整流