FDMS3604AS
30V不对称双N沟道MOSFET,电流:131A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS3604AS
- 商品编号
- C3289564
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.51W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.695nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDMS0308CS旨在最大限度地降低电源转换应用中的损耗。结合了硅和封装技术的先进成果，在保持出色开关性能的同时，实现了最低的导通电阻rDS(on)。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- Q1:N沟道
- VGS = 10 V、ID = 13 A时,最大rDS(on) = 8 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 11 A时,最大rDS(on) = 11 mΩ
- Q2:N沟道
- VGS = 10 V、ID = 23 A时,最大rDS(on) = 2.6 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 21 A时,最大rDS(on) = 3.5 mΩ
- 低电感封装可缩短上升/下降时间,从而降低开关损耗
- MOSFET集成可实现最佳布局,降低电路电感并减少开关节点振铃
- 符合RoHS标准
应用领域
- 计算领域
- 通信领域
- 通用负载点应用
- 笔记本电脑VCORE
- 服务器