IRLR7807ZPBF
N沟道,电流:43A,耐压:30V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLR7807ZPBF
- 商品编号
- C3288407
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 43A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.25V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 780pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
RM130N30D3采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 在VGS为4.5 V时具备极低的导通电阻RDS(on)
- 超低栅极阻抗
- 雪崩电压和电流特性完全表征
应用领域
-用于计算机处理器电源的高频同步降压转换器-无铅
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