IRFR825PBF
N沟道,电流:6.0A,耐压:500V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFR825PBF
- 商品编号
- C3288403
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 119W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.346nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品特性
- 快速体二极管消除了零电压开关(ZVS)应用中对外部二极管的需求。
- 较低的栅极电荷简化了驱动要求。
- 较高的栅极电压阈值提高了抗噪声能力。
应用领域
-零电压开关开关电源(SMPS)-不间断电源(UPS)-电机控制应用
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