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NTMFS4C808NAT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:52A 电流:9A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS4C808NAT1G
- 商品编号
- C3288276
- 商品封装
- DFN-5(5x6)(SO-8FL)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A；52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 760mW；25.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.67nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DFN0606 - 3（SOT8001）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 低导通电阻(RDS(on)),以降低传导损耗
- 低电容,以降低驱动损耗
- 优化的栅极电荷,以降低开关损耗
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
应用领域
-CPU电源供应-DC-DC转换器