FDB6030L
1个N沟道 耐压:30V 电流:48A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB6030L
- 商品编号
- C3288159
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品特性
- 低栅极电荷Qg，降低驱动要求
- 增强栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性
- 全面表征电容、雪崩电压和电流
应用领域
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源
- 高速功率开关