DMTH6016LFDFWQ-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:9.4A
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH6016LFDFWQ-13
- 商品编号
- C3282017
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 925pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它通过了AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下方面： 电源管理功能
- 电池供电系统和固态继电器
- 驱动器：继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器、晶体管等
商品特性
- 额定温度达+175°C — 适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试:确保终端应用更可靠、更耐用
- 低RDS(ON) — 确保导通状态损耗最小化
- 0.6mm厚度 — 适用于薄型应用
- PCB占位面积为4mm2
- 侧壁镀覆,便于光学检测
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- DMTH6016LFDFWQ适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,且在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
-电源管理功能-DC-DC转换器-背光源