FDC6322C
双通道N沟道和P沟道MOSFET,电流:0.22A,耐压:25V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC6322C
- 商品编号
- C3280200
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 460mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@2.7V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 62pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品特性
- N 沟道:25 V、0.22 A,VGS = 2.7 V 时 RDS(ON) = 5 Ω
- P 沟道:25 V、-0.46 A,VGS = -2.7 V 时 RDS(ON) = 1.5 Ω
- 极低的栅极驱动要求,允许在 3 V 电路中直接工作。VGS(th) < 1.5 V
- 栅源齐纳二极管,具备出色的静电放电(ESD)耐受性。人体模型 >6 kV
- 可替代 NPN 和 PNP 数字晶体管