NDS9953A
双P沟道增强模式场效应晶体管,电流:-2.9A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS9953A
- 商品编号
- C3279927
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- -2.9A,-30V。在VGS = -10V时,RDS(ON) = 0.13Ω
- 高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和高电流处理能力
- 表面贴装封装中的双MOSFET
应用领域
-笔记本电脑电源管理-其他电池供电电路