FDS6614A
N沟道逻辑电平功率沟槽MOSFET,电流:9.3A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6614A
- 商品编号
- C3279838
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
FDS6688S旨在取代同步DC/DC电源中的单个SO-8 MOSFET和肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大限度地提高功率转换效率，提供低漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。FDS6688S采用仙童半导体的单片SyncFET技术，集成了一个肖特基二极管。
商品特性
- 16 A、30 V。栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 6.0 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 7.5 mΩ
- 集成SyncFET肖特基体二极管
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）和快速开关
- 高功率和电流处理能力
应用领域
-DC/DC转换器-电机驱动器