FDMS8670
N沟道,电流:42A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS8670
- 商品编号
- C3279629
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 135A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.94nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 265pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.855nF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用最新的专有功率沟槽工艺制造,该工艺经过特别设计,可将导通电阻降至最低。该器件具有业界领先的开关品质因数(RDS*Qgd),可提高DC-DC同步整流器的效率。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 24 A时,最大rDS(on) = 2.6 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 18 A时,最大rDS(on) = 3.8 mΩ
- 经过100%单脉冲雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC - DC转换