FDB3672
N沟道,电流:44A,耐压:100V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB3672
- 商品编号
- C3277611
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.71nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 62pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 247pF |
商品概述
第三代功率 MOSFET 为设计师提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达 HEX - 4 的芯片尺寸。它在现有的任何表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，并且在典型的表面贴装应用中可耗散高达 2.0 W 的功率。
商品特性
- 导通电阻rDS(ON) = 24 mΩ(典型值),栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 44 A
- 总栅极电荷Qg(tot) = 24 nC(典型值),栅源电压VGS = 10 V
- 低米勒电荷
- 低反向恢复电荷体二极管
- 高频下效率优化
- 具备非钳位感性开关(UIS)能力(单脉冲和重复脉冲)
- 符合AEC Q101标准
应用领域
- 直流-直流转换器和离线式不间断电源(UPS)
- 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
- 24V和48V系统的初级开关
- 高压同步整流器
- 直喷/柴油喷射系统
- 42V汽车负载控制
- 电子气门机构系统