SPB08N03L
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V@1000uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.17nF |
应用领域
- 标准级：计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质级：运输设备（汽车、火车、轮船等）、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。