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DTA114YE-MS

50V 100mA

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私有库下单最高享92折
描述
晶体管类型:1个PNP-预偏置 功率(Pd):150mW 集电极电流(Ic):100mA 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):1.4V@1mA,0.3V 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):300mV@100uA,5V 输出电压(VO(on)@Io/Ii):300mV@5mA,0.25mA
品牌名称
MSKSEMI(美森科)
商品型号
DTA114YE-MS
商品编号
C2995322
商品封装
SOT-523​
包装方式
编带
商品毛重
0.033克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录数字晶体管
数量1个PNP-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)150mW
晶体管类型PNP
直流电流增益(hFE)68
属性参数值
最小输入电压(VI(on))1.4V@1mA,0.3V
最大输入电压(VI(off))300mV@100uA,5V
输出电压(VO(on))300mV@5mA,0.25mA
输入电阻13kΩ
电阻比率10
特征频率(fT)250MHz

商品特性

  • 内置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。
  • 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入进行正偏置。它们还具有几乎完全消除寄生效应的优势。
  • 操作时只需设置开/关状态,使器件设计更简单。
  • 符合RoHS标准
  • 绿色电磁兼容性
  • 雾锡(Sn)引脚镀层
  • 重量:约0.002g

数据手册PDF