温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AP200N04
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:40V 电流:160A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：40V，160A。 RDS(ON) < 2.8mΩ @VGS = 10V，典型值2.4mΩ。 RDS(ON) < 4.0mΩ @VGS = 4.5V，典型值3.2mΩ。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP200N04
- 商品编号
- C2995336
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 129.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.26nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 727pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 523pF |
商品概述
AP25P06K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- VDS = -60V，ID = -25A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 60mΩ
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 72mΩ
- 采用高密度单元设计，实现超低Rdson
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 高EAS下稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
应用领域
- 全桥转换器的高端开关
- LCD显示器的DC/DC转换器