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AP30P06K
1个P沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 特性：60V, -30A，RDS(ON) < 30mΩ @VGS = -10V，典型值为23mΩ；RDS(ON) < 38mΩ @VGS = -4.5V，典型值为27mΩ。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP30P06K
- 商品编号
- C2995337
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.483克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 51W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 196pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 251pF |
商品概述
AP30N03K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 30A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 20 mΩ
- 当栅源电压VGS = 5V时，导通电阻RDS(ON) < 26 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 高单脉冲雪崩能量EAS，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
应用领域
- 功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源