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APG022N06G
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:60V 电流:150A
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- 描述
- 特性：60V，150A。 RDS(ON) 2.3mΩ @ VGS = 10V (典型值: 1.9mΩ)。 RDS(ON) 3.5mΩ @ VGS = 4.5V (典型值: 3.0mΩ)。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- APG022N06G
- 商品编号
- C2995347
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.052nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.47nF |
商品特性
- 60V、150A
- 当 VGS = 10 V 时,RDS(ON) < 2.3 mΩ(典型值:1.9 mΩ)
- 当 VGS = 4.5 V 时,RDS(ON) < 3.5 mΩ(典型值:3.0 mΩ)
- 分裂栅沟槽技术
- 产品无铅
- 出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 电源管理