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APG060N85D
屏蔽栅MOSFET 1个N沟道 耐压:85V 电流:120A
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- 描述
- 特性：85V，120A。 RDS(ON) <6mΩ @VGS=10V。 先进的沟槽功率MOSFET。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：DC/DC转换器。 便携式设备的负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- APG060N85D
- 商品编号
- C2995353
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.448nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- -60V，-30A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 30mΩ，典型值：23mΩ
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 38mΩ，典型值：27mΩ
- 先进沟槽技术
- 产品无铅
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理