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APG046N01G
1个N沟道 耐压:100V 电流:85A
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- 描述
- 特性：100V，85A。 RDS(ON) < 4.6mΩ @VGS = 10V（典型值：3.8mΩ）。 RDS(ON) < 6.4mΩ @VGS = 4.5V（典型值：5.2mΩ）。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- APG046N01G
- 商品编号
- C2995348
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 56.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 79nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.59nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.06nF |
商品概述
AP2317QD采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -12A
- 在VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 28mΩ（最大值）
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 20mΩ（最大值）
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理-无卤