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APG042N01D
屏蔽栅MOSFET 1个N沟道 耐压:100V 电流:145A
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- 描述
- 特性：100V，145A。 RDS(ON) <4.2mΩ @VGS=10V。 先进的沟槽功率MOSFET。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：DC/DC转换器。 便携式设备负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- APG042N01D
- 商品编号
- C2995339
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 145A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 215W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.678nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 673pF |
商品概述
AP1002采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V，漏极电流ID = 2A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 250 mΩ（典型值：180 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 采用散热性能良好的封装
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源