温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AP85N04G
1个N沟道 耐压:40V 电流:65A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：40V，RDS(ON)<5.9mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON)<10mΩ @ VGS = 4.5V。 可提供无铅和环保器件。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品认证。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP85N04G
- 商品编号
- C2995334
- 商品封装
- TDSON-8(5.2x5.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.121克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.448nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 396pF |
商品特性
- 85V、135A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 5 mΩ
- 先进沟槽功率MOSFET
- 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- DC/DC转换器
- 便携式设备负载开关
- 电池开关
- 整流器