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APG078N07
屏蔽栅MOSFET 1个N沟道 耐压:70V 电流:100A
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- 描述
- 特性：70V, 100A。 RDS(ON) < 7.8mΩ @VGS = 10V，典型值为6.7mΩ。 先进的沟槽功率MOSFET。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：DC/DC转换器。 便携式设备的负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- APG078N07
- 商品编号
- C2995331
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.795克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 70V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 93W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.466nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HX3401B采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30 V，漏极电流（ID） = -4.2 A
- 导通状态漏源电阻（RDS(ON)）（典型值） = 48 mΩ，栅源电压（VGS） = -4.5 V时
- 导通状态漏源电阻（RDS(ON)）（典型值） = 60 mΩ，栅源电压（VGS） = -2.5 V时
- 高功率和电流处理能力
- 获得无铅产品
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关