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AP85N04K
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:40V 电流:70A
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- 描述
- 特性：40V，70A。 RDS(ON) < 5.9mΩ（典型值），VGS = 10V。 RDS(ON) < 10mΩ（典型值），VGS = 4.5V。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP85N04K
- 商品编号
- C2995325
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 58W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.956nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 197pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 225pF |
商品概述
NP80N06D6采用先进的沟槽技术，经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- VDS = 60 V，ID = 80 A
- RDS(ON)(典型值) = 5.5 mΩ @VGS=10V
- RDS(ON)(典型值) = 8.8 mΩ @VGS=6V
- 出色的栅极电荷x RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度150 °C
- 100%经过UIS测试
应用领域
- DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流-工业和电机驱动应用