AP25P06K
1个P沟道 耐压:60V 电流:25A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- AP25P06K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP25P06K
- 商品编号
- C2995326
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6307nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90.6pF |
商品特性
- 30V、50A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 7.5 mΩ,典型值为6.0 mΩ
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 13 mΩ,典型值为9.5 mΩ
- 先进沟槽技术
- 获得无铅产品认证
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理
