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2N7002T-MS
1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
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- 描述
- 此款N沟道MOS管采用SOT-523封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：115MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- 2N7002T-MS
- 商品编号
- C2995317
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2pF |
商品概述
NP12N10G采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 60V、300mA,VGS = 10V时RDS(ON) = 2.2Ω
- 快速开关
- 有环保器件可选
- 具备2KV人体模型(HBM)静电放电能力
应用领域
-笔记本电脑-智能手机-电池保护-手持仪器
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