温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2SK3019-MS
1个N沟道 耐压:30V 电流:200mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：30V,200mA, RDS(ON) = 3.5Ω@VGS = 10V。 改善的dv/dt能力。 快速开关。 有环保器件可选。应用：笔记本电脑。 负载开关
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- 2SK3019-MS
- 商品编号
- C2995318
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 23pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 16pF |
商品概述
NP36N10采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 100 V，ID = 36 A
- RDS(ON)(典型值) = 32 mΩ @VGS = 10 V
- RDS(ON)(典型值) = 38 mΩ @VGS = 4.5 V
- 高密度单元设计，实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高EAS，稳定性和一致性良好
- 采用散热良好的封装
- 特殊工艺技术，具备高ESD能力
应用领域
- 汽车应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源