温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NP4446SR-S-G
N沟道增强模式MOSFET N沟道 耐压:30V 电流:15A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- NP4446SR采用了沟槽MOSFET技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Crss组合，导通和开关损耗得以最小化。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP4446SR-S-G
- 商品编号
- C2991129
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 985pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 205pF |
商品概述
NP2N10VR采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和高密单元设计，可实现极低的导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 2 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON)(典型值) = 200 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(ON)(典型值) = 220 mΩ
- 具备高功率和高电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关