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NP4406SR-J-G
N沟道增强模式MOSFET N沟道 耐压:30V 电流:13A
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- 描述
- NP4406SR采用沟槽MOSFET技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Crss组合，导通和开关损耗降至最低。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP4406SR-J-G
- 商品编号
- C2991128
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NP3400MR-S采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高密单元设计，以实现超低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 5.8 A
- RDS(ON)(典型值) = 24 mΩ @ VGS = 4.5 V
- RDS(ON)(典型值) = 35 mΩ @ VGS = 2.5 V
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用-负载开关