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ASDM30N150Q-R
耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- 特性：高耐用性。 低栅极电荷（典型值143nC）。 改进的dv/dt能力。 100%雪崩测试。应用：同步整流。 锂电池保护板
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM30N150Q-R
- 商品编号
- C2972857
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 43W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 143nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 718pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
PD55003L-E是一款共源极N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管，专为高增益宽带商业和工业应用而设计。它在共源极模式下，工作电压为12 V，最高工作频率可达1 GHz。PD55003L-E采用创新的无引脚贴片塑料封装PowerFLAT，搭载了STH1LV最新LD - MOS技术，具备出色的增益、线性度和可靠性。 PD55003L-E卓越的线性性能使其成为汽车移动无线电的理想解决方案。
商品特性
- 出色的热稳定性
- 共源极配置
- 在500 MHz/12.5 V条件下，输出功率P_OUT = 3 W，增益为17 dB
- 新型无引脚塑料封装
- 静电放电（ESD）保护
- 采用3000个单位的卷带包装供货
- 符合2002/95/EC欧洲指令