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ASDM40R009NQ-R
N沟道MOSFET,电流:200A,耐压:40V
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- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM40R009NQ-R
- 商品编号
- C2972875
- 商品封装
- DFN-5(4.9x5.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 114W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.418nF |
商品特性
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- 150 °C 工作温度
- 无铅引脚镀层
- 100% 进行了单脉冲雪崩耐量测试
应用领域
-直流-直流转换器-适用于高频开关和同步整流