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ASDM20N20KQ-R
1个N沟道 耐压:20V 电流:20A
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- 描述
- 特性：超高密度单元设计，实现极低的导通电阻RDS(on)。 高功率和电流处理能力。 无铅产品。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM20N20KQ-R
- 商品编号
- C2972895
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 515pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 20V/100A 单 N 沟道功率 MOSFET
- 在 VGS = 4.5V 时，导通电阻 RDS(on) 极低
- 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准
商品特性
- 超高密度单元设计,实现极低的导通电阻(RDS(on))
- 具备高功率和大电流处理能力
- 提供无铅产品
应用领域
- 负载开关
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 电源管理