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ASDM12N65F-T
耐压:650V 电流:12A
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- 描述
- 特性：低栅极电荷。 低导通电阻。 改善的dv/dt能力。 100%雪崩测试。 符合RoHS标准。应用：开关模式电源（SMPS）。 PWM电机控制
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM12N65F-T
- 商品编号
- C2972883
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 24W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.89nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.9pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 100V、15A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) = 95 mΩ（典型值）
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 100 mΩ（典型值）
- 总栅极电荷低
- 反向传输电容低
- 改善了dv/dt能力
- 开关速度快
应用领域
- 不间断电源（UPS）
- 逆变器系统