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ASDM40N80KQ-R
40V, 80A, 40V N沟道 MOSFET
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 快速开关速度。 100%雪崩测试。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：DC/DC转换器。 服务器板载电源
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM40N80KQ-R
- 商品编号
- C2972888
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.027nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.513nF |
商品特性
- 超高密度单元设计，实现极低的导通电阻（RDS(on)）
- 具备高功率和大电流处理能力
- 提供无铅产品
应用领域
- 负载开关
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 电源管理