温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ASDM20N90Q-R
20V,90A,20V N沟道 MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：100% EAS保证。 有绿色环保器件可选。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：逆变器系统的电源管理
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM20N90Q-R
- 商品编号
- C2972894
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.187克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.605nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 365pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个4000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交23单
相似推荐
其他推荐