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ASDM3416EZA-R
1个N沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- Trench Power LV MOSFET技术。高功率和电流处理能力。ESD保护高达3.5KV (HBM)
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM3416EZA-R
- 商品编号
- C2972886
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 640pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 147pF |
商品特性
- 沟槽功率技术
- 低导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 针对快速开关应用进行优化
应用领域
- DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流
- 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器