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ASDM100N34KQ-R
1个N沟道 耐压:100V 电流:34A
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- 描述
- 特性：先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM100N34KQ-R
- 商品编号
- C2972881
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 252pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
PD85015-E是一款共源N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。它专为高增益、宽带、商业和工业应用而设计。在共源模式下，它可在高达1 GHz的频率和13.6 V电压下工作。得益于意法半导体（ST）最新的LDMOS技术，并采用首款真正的表面贴装塑料射频功率封装PowerSO-10RF，PD85015-E具备出色的增益、线性度和可靠性。该器件卓越的线性度使其成为汽车收音机的理想解决方案。PowerSO-10塑料封装专为高可靠性设计，是意法半导体首款获得JEDEC认证的高功率表面贴装封装。它针对射频需求进行了优化，具有出色的射频性能，且易于组装。
商品特性
- 先进沟槽技术
- 产品无铅
- 具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理