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ASDM20P13S-R实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ASDM20P13S-R

P沟道 耐压:20V 电流:13A

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描述
VDS-20V,ID-13ARDS(on),Typ@VGS=10V6mR
品牌名称
ASDsemi(安森德)
商品型号
ASDM20P13S-R
商品编号
C2972879
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.16克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)13A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@10V
耗散功率(Pd)3.6W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)15nC@10V
输入电容(Ciss)2.16nF
反向传输电容(Crss)288pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 低导通电阻RDS(ON),以最大限度降低传导损耗
  • 低栅极电荷,实现快速开关
  • 低热阻

应用领域

  • 主板/显卡核心电压
  • 开关电源二次侧同步整流器
  • 负载点应用
  • 无刷直流电机驱动器

数据手册PDF