ASDM100R066NQ-R
100V N沟道MOSFET,电流:68A,耐压:100V
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- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM100R066NQ-R
- 商品编号
- C2972872
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 605pF |
商品概述
这款高压N沟道功率MOSFET属于MDmesh™ DM6快速恢复二极管系列。与上一代MDmesh产品相比，DM6结合了极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），并显著改善单位面积导通状态下的漏源电阻（RDS(on)），同时具备市场上最有效的开关性能，适用于要求严苛的高效桥接拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器。
商品特性
- 符合AEC-Q101标准
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比，单位面积导通状态下的漏源电阻（RDS(on)）更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻低
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt耐受能力
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用