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ASDM30P100KQ-R
1个P沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 特性：采用先进的沟槽技术。 提供出色的RDS(ON)。 低栅极电荷，可在低栅极电压下工作。 锂电池保护。 无线冲击。 手机快充
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM30P100KQ-R
- 商品编号
- C2972873
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 109W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.56nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 700pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 742pF |
商品特性
- 采用先进沟槽技术
- 提供出色的RDS(ON)
- 栅极电荷低,可在低栅极电压下工作
应用领域
- 锂电池保护
- 无线冲击
- 手机快充