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ASDM20N60KQ-R
1个N沟道 耐压:20V 电流:60A
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- 描述
- 特性：低栅极电荷。 增强模式。 快速开关。 高功率和电流处理能力。应用：DC-DC 初级桥。 DC-DC 同步整流
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM20N60KQ-R
- 商品编号
- C2972874
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
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