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ASDM30DN30E-R
2个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- 100% EAS保证。绿色环保器件。超低栅极电荷。出色的CdV/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM30DN30E-R
- 商品编号
- C2972862
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.102克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 26W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.82nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 896pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 108pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 126pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个5000个/圆盘
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