温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ASDM40N60KQ-R
40V,60A,40V N沟道 MOSFET
- 描述
- 特性：高密度单元设计，实现超低导通电阻。 完全表征雪崩电压和电流。 高EGS下具有良好的稳定性和均匀性。 出色的封装，利于散热。 特殊工艺技术，具备高ESD能力。应用：负载开关。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM40N60KQ-R
- 商品编号
- C2972867
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻（Rdson）
- 具备完整表征的雪崩电压和电流
- 高单脉冲雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源